مشروع البحث:
FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS OF POINT DEFECTS PROPERTIES IN SILICON CARBIDE POLYTYPES

صفحة عناصر بسيطة
dc.contributor.advisorجامعة ماليزيا
dc.date.accessioned2024-12-09T13:41:38Z
dc.date.available2024-12-09T13:41:38Z
dc.descriptionVsi dan kelihatan paling stabil dengan pengunaan tenaga pembentukan yang paling kecil. Sifat mekanikal SiC heksagonal yang cacat berbeza dari SiC kubik yang cacat dengan wujudnya bukti ketergantungan tapak kisi dan basal pada sebatian V-antisit. Jelas sekali, modulus muda adalah modulus elastik yang paling tinggi. Suhu Debye berkurangan bagi semua jenis kecacatan dan tapak yang merujuk kepada kemerosotan sifat-sifat termal SiC yang rosak. Tekanan hidrostatik yang digunakan pada kristal 3C yang cacat memelihara simetri kecacatan setempat serta mempunyai sifat-sifat elektronik, agak meningkatkan sifat mekanikal dan termal SiC yang rosak
dc.description.abstractABSTRAK Kegunaan silikon karbida (SiC) adalah amat penting dalam peranti optoelektronik kerana sifat elektronik dan optiknya yang unggul. Disamping itu, ia adalah bahan yang dikehendaki dalam kebanyakan aplikasi kerana ciri-ciri mekanikal dan termalnya yang luar biasa. Kecacatan titik, terutamanya kekosongan dan sebatian V-antisit dianggap sebagai isu yang paling penting yang mengubah sifat-sifat SiC. Pengiraan prinsip pertama berdasarkan teori kepadatan berfungsi seperti yang dilakukan dengan kod CASTEP telah digunakan untuk menyiasat sifat-sifat struktur, elektronik, termal dan mekanik politip 3C, 2H, 4H, dan 6H SiC sebelum dan selepas memperkenalkan kecacatan titik intrinsik (kekosongan dan pusat-pusat kekosongan antisit) di dalam kristal serta di bawah tekanan tekanan hidrostatik berkenaan dengan heksagonaliti. Pengiraan menunjukkan kesan heksagonaliti pada sifat politip SiC yang unggul. Susunan tetrahedron dalam politip heksagonal SiC memberikan kepelbagaian dalam sudut dan panjang ikatan. Disamping itu, lebar jurang adalah berkadar dengan hexagonaliti polytypes, dan perbezaan yang paling banyak terdapat dalam jalur konduksi. Ciri-ciri SiC menunjukkan tindak balas yang jelas terhadap tekanan hidrostatik yang diterapkan berkenaan dengan hexagonaliti walaupun simetri padu dan heksagon berada dibawah tekanan tinggi. Pengiraan menunjukkan bahawa kekosongan yang diperkenalkan dan kecacatan kekosongan-antisit mempengaruhi sifat SiC. Anjakan atom yang dikira menunjukkan bahawa kewujudan tingkah laku kelonggaran yang berbeza dalam kalangan jiran-jiran di sekelilingnya bergantung kepada jenis kecacatan. Struktur elektronik kristal SiC yang rosak berbeza dari kecacatan kepada yang lain serta mempunyai kesan yang lemah terhadap tapak kisi dan heksagonaliti
dc.identifier93
dc.identifier.urihttps://dspace.academy.edu.ly/handle/123456789/708
dc.subjectKeywords: politip SiC; teori fungsi ketumpatan; sifat-sifat SiC; heksagonal; titik cacat; kekosongan; sebatian V-antisit; heksagonal
dc.titleFIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS OF POINT DEFECTS PROPERTIES IN SILICON CARBIDE POLYTYPES
dspace.entity.typeProject
project.endDate2019
project.funder.nameالعلوم والتكنولوجيا
project.investigatorAlham Mohamed M. Emhemed
project.startDate2018
الملفات
الحزمة الأصلية
يظهر اﻵن 1 - 1 من 1
لا توجد صورة مصغرة متاحة
اﻻسم:
thesis-1851-ALHAM MOHAMED M EMHEMED الهام محمد المبروك امحمد.pdf
الحجم:
9.37 MB
التنسيق:
Adobe Portable Document Format
تحميل
حزمة الترخيص
يظهر اﻵن 1 - 1 من 1
لا توجد صورة مصغرة متاحة
اﻻسم:
license.txt
الحجم:
1.71 KB
التنسيق:
Item-specific license agreed to upon submission
الوصف:
تحميل
مجموعات
الرسائل العلمية والمشاريع