مشروع البحث:
FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS OF POINT DEFECTS PROPERTIES IN SILICON CARBIDE POLYTYPES

thumbnail.project.alt
المساهمين
الممولين
رقم التعريف
93
الباحث
Alham Mohamed M. Emhemed
المشرفين
منشورات
وحدات تنظيمية
الوصف
Vsi dan kelihatan paling stabil dengan pengunaan tenaga pembentukan yang paling kecil. Sifat mekanikal SiC heksagonal yang cacat berbeza dari SiC kubik yang cacat dengan wujudnya bukti ketergantungan tapak kisi dan basal pada sebatian V-antisit. Jelas sekali, modulus muda adalah modulus elastik yang paling tinggi. Suhu Debye berkurangan bagi semua jenis kecacatan dan tapak yang merujuk kepada kemerosotan sifat-sifat termal SiC yang rosak. Tekanan hidrostatik yang digunakan pada kristal 3C yang cacat memelihara simetri kecacatan setempat serta mempunyai sifat-sifat elektronik, agak meningkatkan sifat mekanikal dan termal SiC yang rosak
الكلمات الدالة
Keywords: politip SiC; teori fungsi ketumpatan; sifat-sifat SiC; heksagonal; titik cacat; kekosongan; sebatian V-antisit; heksagonal