جامعة ماليزيا2024-12-092024-12-09https://dspace.academy.edu.ly/handle/123456789/708Vsi dan kelihatan paling stabil dengan pengunaan tenaga pembentukan yang paling kecil. Sifat mekanikal SiC heksagonal yang cacat berbeza dari SiC kubik yang cacat dengan wujudnya bukti ketergantungan tapak kisi dan basal pada sebatian V-antisit. Jelas sekali, modulus muda adalah modulus elastik yang paling tinggi. Suhu Debye berkurangan bagi semua jenis kecacatan dan tapak yang merujuk kepada kemerosotan sifat-sifat termal SiC yang rosak. Tekanan hidrostatik yang digunakan pada kristal 3C yang cacat memelihara simetri kecacatan setempat serta mempunyai sifat-sifat elektronik, agak meningkatkan sifat mekanikal dan termal SiC yang rosakABSTRAK Kegunaan silikon karbida (SiC) adalah amat penting dalam peranti optoelektronik kerana sifat elektronik dan optiknya yang unggul. Disamping itu, ia adalah bahan yang dikehendaki dalam kebanyakan aplikasi kerana ciri-ciri mekanikal dan termalnya yang luar biasa. Kecacatan titik, terutamanya kekosongan dan sebatian V-antisit dianggap sebagai isu yang paling penting yang mengubah sifat-sifat SiC. Pengiraan prinsip pertama berdasarkan teori kepadatan berfungsi seperti yang dilakukan dengan kod CASTEP telah digunakan untuk menyiasat sifat-sifat struktur, elektronik, termal dan mekanik politip 3C, 2H, 4H, dan 6H SiC sebelum dan selepas memperkenalkan kecacatan titik intrinsik (kekosongan dan pusat-pusat kekosongan antisit) di dalam kristal serta di bawah tekanan tekanan hidrostatik berkenaan dengan heksagonaliti. Pengiraan menunjukkan kesan heksagonaliti pada sifat politip SiC yang unggul. Susunan tetrahedron dalam politip heksagonal SiC memberikan kepelbagaian dalam sudut dan panjang ikatan. Disamping itu, lebar jurang adalah berkadar dengan hexagonaliti polytypes, dan perbezaan yang paling banyak terdapat dalam jalur konduksi. Ciri-ciri SiC menunjukkan tindak balas yang jelas terhadap tekanan hidrostatik yang diterapkan berkenaan dengan hexagonaliti walaupun simetri padu dan heksagon berada dibawah tekanan tinggi. Pengiraan menunjukkan bahawa kekosongan yang diperkenalkan dan kecacatan kekosongan-antisit mempengaruhi sifat SiC. Anjakan atom yang dikira menunjukkan bahawa kewujudan tingkah laku kelonggaran yang berbeza dalam kalangan jiran-jiran di sekelilingnya bergantung kepada jenis kecacatan. Struktur elektronik kristal SiC yang rosak berbeza dari kecacatan kepada yang lain serta mempunyai kesan yang lemah terhadap tapak kisi dan heksagonalitiKeywords: politip SiC; teori fungsi ketumpatan; sifat-sifat SiC; heksagonal; titik cacat; kekosongan; sebatian V-antisit; heksagonal